三星128GB闪存芯片亮相 或成为中端智能手机标配

　　随着这智能手机市场的快速发展，这手机的闪存芯片也在不断的提升，目前三星发则发布了一款128GB 3位NAND技术的闪存模块，下面就一起来看看这最新详情。

　　Androidcentral.com消息，三星刚刚宣布推出一款128GB 3位NAND技术的闪存模块，这款产品面向的是大众设备市场。此前三星推出的基于UFS 2.0技术标准的存储模块，是专门针对高端设备的。这款128GB的存储模块并非采用UFS2.0技术标准，而是使用更加普遍的EMMC(Embedded MultiMediaCard)5.0技术。

三星128GB闪存芯片亮相 或成为中端智能手机标配

　　但是这并非说明三星这颗最新的存储模块在性能上有任何损失。相反，根据三星官方的说明，宣称这颗存储的连续读取速率可以达到260MB/s，同基于EMMC 5.1技术的新款闪存产品一模一样。

　　如果你是追求高品质多媒体内容的消费者，三星认为这款随机数据读写可达6000IOPS(每秒输入/输出)和5000IOPS的128GB存储模块，相比其它普通扩展存储卡，要快四到十倍。目前三星官方没有确认何款设备将会采用这颗128GB存储单元，但是我们确定今年一定会有三星中端智能手机采用这款存储产品。

　　三星推出128GB 3位NAND技术的闪存模块将配备在接下来的中端机型中，这样的配置对于用户来说也是很有吸引了的，一起拭目以待吧。