传Galaxy S6或配128GB UFS闪存

　　Galaxy S6手机作为三星今年的新旗舰，为此也是对其煞费苦心，这手机曝光的消息也是非常的多，据悉这手机将会配置这128GB UFS闪存，下面就一起来看看这最新消息。

传Galaxy S6或配128GB UFS闪存

　　目前高端旗舰手机采用的闪存芯片大都是eMMC 5.0规范的产品，速度足够快，但可惜还是要落伍了。 在eMMC 5.0之上，还有速度更快的UFS标准，它支持“命令队列(Command Queue)”技术，常用于固态硬盘中，通过串行接口加快命令执行速度，与采用8位并行接口的eMMC标准相比，数据处理速度得到大幅提高。三星今天宣布推出了业内首款UFS 2.0标准的128GB闪存芯片，随机读取速度达到19000 IOPS，是eMMC 5.0的2.7倍(7000 IOPS)，随机写入速率高达14000 IOPS，是一般外置存储卡的28倍。

　　持续读写速度方面，三星没有公布具体的数据，但表示已经接近普通SSD的水平了，同时功耗能降低50%。

　　才外，该闪存还采用了嵌入式堆叠封装(ePoP)技术，可直接堆叠在逻辑芯片上，节省约50%的空间。

　　该闪存有32、64以及128GB三种容量可选，传统的16GB已经不见踪影了。可以预见的是，它未来很有可能成为旗舰产品的标配(处理器需要支持UFS标准)，在即将到来的Galaxy S6上我们很有希望看到它。

　　三星此次推出的这新的内存技术极有可能会用在即将发布的Galaxy S6手机上，这样的做法对于Galaxy S6手机来说将会是一大优势，期待这Galaxy S6的到来。